產品介紹

NEMST-HPE2018 系列

微波電漿蝕刻機

微波電漿蝕刻機
微波電漿蝕刻機
  • 高效能微波電漿產生源設計: 1011~1013cm3。
  • 特殊散氣盤設計，確保電漿均勻產生。
  • 利用過濾式電漿設計，對於基板/產品 無損傷。
  • 獨特的電子迴旋共振設計，可產生高密度的電漿，並延長石英隔絕板之使用壽命。
  • 可大面積地處理基板。
  • 高蝕刻速度，通常可達每分鐘1~10微米之蝕刻速度。
  • 電漿處理均勻性高，可高達90%以上。
  • 可低溫處理，溫度控制於120℃以內。
  • 不會對於產品造成損傷。
  • 可大面積進行電漿處理，例如處理500 mm x 600 mm之基板。
  • 適用蝕刻材料: 高分子材料Polymer Material (Polyimide, Parylene, FR4, BT, Teflon, etc.), 矽Silicon, 鈍化層/保護層Passivation (Si3N4 or SiON), 介電材料Dielectric (SiO2, High-K, Low-K, etc.), 半導體化合物Semiconductor Compound (GaN, GaAs, InP, SiC and etc), 金屬Metals (Al, Ti, Metal Alloys and etc), 其他材料Other Material (Sapphire, Diamond, ITO, PZT, etc.).
  • 適用半導體、先進封裝(晶圓級封裝、面板及封裝、2.5D/3D立體封裝、CoWoS)、IC載板、Micro-LED、晶圓再生等製程。